TM65 は高周波インダクタ用のマンガン亜鉛系パワーフェライトで、初透磁率（μi）1300 は高周波パワー材料の中で最高、飽和磁束密度（Bs）540 mT（25 ℃）／440 mT（100 ℃）、キュリー温度 240 ℃ 以上です。損失の極小値は動作温度にあり、1 MHz／50 mT の Pcv は 25 ℃ の 250 kW/m³ から 100 ℃ の 180 kW/m³ へ低下し、800 kHz／60 mT で 300 → 220 kW/m³、1 MHz／30 mT で 70 → 50 kW/m³ です。100 ℃ の残留磁束密度（Br）は 50 mT です。同一 UD コアでの 8 材料の直流重畳実測では、220 nH 帯・100 ℃ で I@90 % 47.3 A に達し、TM59 と同等でありながら高周波損失はより低く、単巻・大電流の MHz 級インダクタの要求に合致します。主な用途は、CPU／GPU 電源の VRM および TLVR インダクタ、POL 高周波インダクタ、1 MHz 級 DC-DC のインダクタとトランスです。高周波パワー材料の中で TM65 は新規設計インダクタの推奨材料です（TM61 は前世代で既存設計向けに継続、1–3 MHz のトランスにも引き続き使用可能）。小型の MHz 級トランスには TM63 が第一候補です。500 kHz／100 mT では 600 → 630 kW/m³ で、700 kHz 以下の大磁束トランスは引き続き TM59 が主力です。